国家知识产权局信息显示●=，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种混气结构及薄膜沉积设备”的专利，公开号CN121344565A…，申请日期为2025年12月▼○。
专利摘要显示△，本发明提供了一种混气结构及薄膜沉积设备●□▽。混气结构包括▼●▽：混气腔，设有出气口；至少一个进气罐，被设于所述混气腔内，并包括多个相互独立的缓冲腔▷△，其中★■，每一所述缓冲腔分别具有对应的单向开口；以及多根进气管路▲◆◇，其中，每一所述进气管路的第一端分别连接至少一个气源，而其第二端穿过所述混气腔的外壁，以伸入对应的缓冲腔，并向所述对应的缓冲腔输入气体，以经由对应的单向开口向所述混气腔供气。
天眼查资料显示■▷▪，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年◇，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业▷■■。企业注册资本50000万人民币…。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线条☆▲△，此外企业还拥有行政许可16个△▷。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议•◇▲。
